A Samsung revelou seus planos ambiciosos para alcançar o armazenamento mais denso já produzido no mercado. Durante o VLSI Symposium 2026, a gigante sul-coreana detalhou o caminho que pretende seguir rumo à NAND de 1.000 camadas, uma inovação que poderá multiplicar por quatro a capacidade dos SSDs em comparação aos modelos atuais.
A estratégia adotada pela empresa envolve uma solução engenhosa: ao invés de criar um bloco único e extremamente alto, a Samsung desenvolve um componente que une duas pilhas de 450 camadas, resultando em um chip com 900 camadas. No entanto, é importante destacar que, por enquanto, essa tecnologia está disponível apenas em formato de protótipo de laboratório.

Como funciona a união das pilhas de células
A técnica utilizada é chamada Cell Multi-Bonding (CMB), uma adaptação do bonding híbrido. Ao invés de apenas empilhar pastilhas, esse método funde dois wafers inteiros por meio da parte traseira, utilizando pequenos contatos metálicos que conectam os dois lados de maneira permanente, formando uma única peça.
A principal inovação está na conexão de wafers completos, e não apenas de dies individuais, o que permite a soma de camadas que seriam inviáveis em processos tradicionais de empilhamento. Adicionalmente, a empresa introduziu novas estruturas de bit-line e word-line para otimizar o consumo de energia e garantir que o tamanho do chip permaneça em uma escala adequada.
“Pela primeira vez, a integração de V-NAND da classe de 900 camadas foi implementada unindo dois wafers de células de 450 camadas”, afirmou a Samsung durante a apresentação.
Desafios enfrentados: empenamento e desalinhamento
A complexidade de empilhar tantas camadas traz desafios significativos. O problema mais crítico é o empenamento do wafer, que se torna mais acentuado à medida que a estrutura aumenta em altura, colocando em risco a eficiência da fusão entre as pilhas de NAND.
Para solucionar esse problema, a Samsung introduziu o chamado Upper Chuck Design, um suporte que estabiliza o wafer deformado durante o processo de união. Quanto ao desalinhamento entre as duas metades, a empresa recorreu a tecnologias de correção chamadas Overlay Correction, que asseguram que as camadas sejam posicionadas com precisão durante a junção dos wafers.
Previsões sobre o aumento de capacidade
O impacto dessa inovação gerou otimismo no mercado. O analista Ian Cutress, da MoreThanMoore, que acompanhou a apresentação, destacou que um SSD QLC de 8 TB poderia ser ampliado para 32 TB utilizando essa nova tecnologia, mantendo o mesmo formato físico. O roadmap mencionado pela Samsung demonstra uma escalada gradual até o grande salto:
| Período | Meta de camadas |
|---|---|
| Atual (2026) | 400+ (10ª geração V-NAND) |
| 2029 | cerca de 420 |
| 2030 | mais de 560 |
| A partir de 2030 | 900 a 1.000+ (via CMB) |
É importante ressaltar que esses números são projeções e a própria transição de 450 para 900 camadas pode enfrentar desafios relacionados a custo e produção que ainda necessitam ser solucionados antes de a Samsung considerar uma linha de produção viável.

Concorrência com SK Hynix e YMTC
A luta por maior densidade de armazenamento não é exclusiva da Samsung. A SK Hynix lidera atualmente o mercado, sendo a primeira a desenvolver e comercializar NAND de 321 camadas, enquanto a maioria das memórias disponíveis aos consumidores ainda apresenta entre 200 e 300 camadas.
A sul-coreana busca estreitar essa diferença com sua 10ª geração de V-NAND, que possui mais de 400 camadas, com previsão de produção em massa ainda neste ano. Apesar de ambas as empresas seguirem caminhos distintos, a Samsung aposta no Vertical Bonding enquanto sua concorrente utiliza o Hybrid Bonding.
| Empresa | Camadas atuais |
|---|---|
| SK Hynix | 321 (em produção) |
| Samsung | 400+ (10ª geração, produção em massa neste ano) |
| YMTC | 294 e 232 |
Adicionalmente, a empresa chinesa YMTC já fornece chips com 294 e 232 camadas e está investindo fortemente na ampliação de suas fábricas para dobrar a produção de wafers, em um momento caracterizado pela crescente demanda impulsionada pela inteligência artificial.
Produção em massa: um horizonte distante
Vale ressaltar que, mesmo diante da empolgação com a possibilidade de SSDs de 32 TB, o chip de 900 camadas é apenas um protótipo, ainda não disponível como produto comercial. A Samsung apresentou o primeiro protótipo funcional no final de maio e agora, durante o VLSI Symposium, revelou o cronograma até o final da década.
A disputa no curto prazo é voltada para a tecnologia de 400 camadas, uma faixa que a SK Hynix já está produzindo em larga escala, enquanto a Samsung se apressa para colocar sua nova geração em produção ainda este ano.
Para os consumidores, a mensagem é clara: é necessário ter paciência. A disponibilidade de SSDs domésticos com capacidades de dezenas de terabytes está condicionada à evolução do protótipo para uma linha de produção viável, uma etapa que a indústria estima que será alcançada somente após 2030.
Fonte: VLSI Symposium 2026 e WCCFTech
Fonte:: adrenaline.com.br




