A memória para IAs do amanhã?
A Z-Angle Memory, uma nova tecnologia desenvolvida pela Intel em parceria com a SoftBank, é um padrão inovador de memória de alta largura de banda e alta capacidade. Esse novo tipo de memória promete alcançar até 5,3 TB/s por pilha, oferecendo o dobro da largura de banda em comparação com a HBM4, com previsão de início de produção entre 2028 e 2030.
Os detalhes técnicos iniciais dessa nova arquitetura serão apresentados no VLSI Symposium 2026, evento que contará com a participação da Intel e da SAIMEMORY, uma subsidiária da SoftBank. As empresas já revelaram algumas especificações que colocam a ZAM como uma alternativa direta à High Bandwidth Memory (HBM) no campo dos aceleradores de inteligência artificial (IA) e unidades de processamento gráfico (GPUs).
Arquitetura de empilhamento vertical e controlador lógico unificado
O design da ZAM utiliza um empilhamento vertical de nove camadas, composto por oito pilhas de DRAM e um substrato de silício de apenas 3 mícrons entre cada camada. O substrato principal abriga um único controlador lógico que gerencia todas as nove camadas de DRAM, eliminando assim a necessidade de múltiplos controladores distribuídos, uma inovação significativa que simplifica o design e aumenta a eficiência.
Adicionalmente, três camadas de Through-Silicon-Via concentram 13,7 mil caminhos de interconexão que operam com ligações híbridas, o que também contribui para o desempenho excepcional da memória.
Cada camada proporciona 1,125 GB de capacidade, totalizando 10 GB por pilha e 30 GB no pacote completo. A pilha ZAM mede 171 mm² (15,4 x 11,1 mm) e alcança uma densidade de 0,25 Tb/s de largura de banda por mm².
Comparativo de densidade e consumo energético entre ZAM e HBM
A HBM é atualmente a tecnologia preferencial para aceleradores de IA de alto desempenho, porém, enfrenta desafios estruturais à medida que a escala aumenta. O sistema apresenta dificuldades relacionadas ao acúmulo de calor nas camadas de fiação e um alto consumo de energia, o que limitou seu desempenho em projetos que dependem dessa tecnologia.
A ZAM se propõe a resolver três problemas centrais por meio de sua construção verticalizada: alta densidade, largura de banda ampla e menor consumo energético. A dissipação térmica é otimizada, pois não precisa atravessar a camada de fiação, reduzindo o acúmulo de calor comumente observado nos módulos de HBM.
| Vantagem técnica | Especificação da ZAM |
|---|---|
| Densidade de largura de banda | ~0,25 Tb/s/mm² |
| Consumo de energia | Otimizado para baixa transferência de dados |
| Dissipação térmica | Arquitetura vertical sem passagem pela camada de fiação |
| Empilhamento | 9 ou mais camadas com silício de 3 μm por camada e TSV via-in-one |
| Conectividade | Entrada e saída sem fio acoplada por campo magnético com ligação avançada para escalabilidade |
Projeção de desempenho frente à HBM4 e HBM4E
A ZAM está em competição direta com o padrão HBM4E, cuja comercialização não deve acontecer antes do próximo ano. A largura de banda da ZAM representa o dobro da atual HBM4, posicionando-a como uma forte concorrente entre as memórias voltadas para aplicações de IA generativa.
Para otimizar o design tridimensional da ZAM, foi escolhido o empacotamento 3.5D, o que combina camadas verticais e horizontais em um único substrato. Essa tecnologia integra uma pilha de memória de alta largura de banda, trilhas de alimentação e aterramento, além de componentes fotônicos de silício e interfaces legadas.
Disponibilidade e próximos marcos
A Intel e a SoftBank projetam que a produção em escala da ZAM acontecerá entre 2028 e 2030. A demonstração prática da tecnologia no VLSI Symposium 2026 representará uma etapa importante para validar a arquitetura; no entanto, a aceitação no mercado de inteligência artificial dependerá da eficiência em aceleradores e GPUs que operem em ambientes produtivos com grandes volumes de dados.
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Fonte:: adrenaline.com.br
