A Samsung aproveitou a realização da FMS 2026 para revelar um roteiro tecnológico abrangente voltado para o futuro da infraestrutura de computação. Entre as novidades apresentadas estão inovações como a HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, memórias NAND com mais de 400 camadas e dois novos conceitos denominados zHBM e zNAND-O, que chamaram a atenção de especialistas e do mercado tecnológico global.
Apesar da grandiosidade dos anúncios, analistas apontam que a apresentação funcionou mais como uma projeção de tendências e uma proposta estratégica para clientes e investidores do que como o lançamento iminente de produtos comerciais. A fabricante sul-coreana evitou divulgar datas específicas para a chegada da maioria dessas tecnologias ao mercado consumidor ou corporativo.
Inovação focada no ecossistema de inteligência artificial
O grande destaque do evento foi o anúncio do zHBM, uma arquitetura inovadora que posiciona a memória empilhada diretamente sobre o acelerador de Inteligência Artificial. Atualmente, os pacotes tradicionais de memória HBM são instalados ao lado do processador principal nas placas e servidores. Com a nova abordagem, a empresa busca encurtar drasticamente a distância física percorrida pelos dados entre a memória e o chip de processamento.
Créditos: Samsung.
De acordo com as projeções divulgadas, uma interface baseada na tecnologia zHBM tem o potencial de entregar cerca de oito vezes o desempenho estimado para a futura geração HBM5. Além do ganho massivo de velocidade, a companhia projeta uma densidade de armazenamento superior a dez vezes, eficiência energética até três vezes maior e uma resistência térmica significativamente aprimorada, com redução de mais de 50% no calor retido.
Apesar dos números impressionantes, a própria empresa faz questão de ressaltar que essas estimativas derivam de modelos conceituais. Atualmente, o projeto não conta com um produto finalizado, parceiros comerciais confirmados ou um cronograma oficial de produção em massa.
| Característica | HBM | HBF | zHBM |
|---|---|---|---|
| Tipo de memória | DRAM | Flash NAND | DRAM |
| Posicionamento | Ao lado do acelerador | Próxima ao acelerador | Acima do acelerador |
| Arquitetura | Empacotamento 2.5D | Flash empilhada de alta largura de banda | Empilhamento vertical 3D |
| Principal objetivo | Alta largura de banda e baixa latência | Maior capacidade com menor custo | Maior densidade e conexões mais curtas |
| Status | Tecnologia já disponível no mercado | Especificação aberta | Conceito apresentado pela Samsung |
O anúncio da gigante sul-coreana surge logo após movimentações importantes no setor de semicondutores, incluindo a revelação da tecnologia High Bandwidth Flash por outras grandes empresas do ramo, como a SanDisk e a SK hynix. Enquanto a solução HBF aposta no uso de memória NAND empilhada para elevar a capacidade próxima aos chips de IA, a proposta da zHBM foca estritamente na utilização de DRAM posicionada em três dimensões diretamente sobre o processador.
Avanços em armazenamento com NAND de 400 camadas
Outro ponto de destaque no evento foi a introdução oficial da V10 BV-NAND, uma nova geração de memória flash que ultrapassa a marca de 400 camadas de células. Utilizando uma arquitetura de fabricação avançada que constrói as células de armazenamento e os circuitos de controle em substratos separados antes de fundi-los em um único componente, a empresa busca superar gargalos físicos de miniaturização.
Segundo as informações técnicas fornecidas, o novo método construtivo eleva a densidade de dados em aproximadamente 58% na comparação direta com a geração anterior V9 NAND. No entanto, dados aprofundados referentes ao comportamento térmico, consumo energético exato e prazos de disponibilidade comercial ainda não foram tornados públicos pela corporação.
Fonte:: adrenaline.com.br
